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FLASH-SRAM-EEPROM-区别-【专业篇】加【通俗篇】

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FLASH 和 EEPROM 的最大区别
专业篇
FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作,EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH 的电路结构较简单,同样容 量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器,EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。当然用 FLASH 做数据存储器也行,但操作比 EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非 易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是 EEPRM 结构,现在已基本上停产了。 至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话,那是连基本概念都不 对,只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计,就连 MCU 系统的基本结构都没 掌握。在芯片的内电路中,FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,

操作方法和指令自然也不同,不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上, 程序存储器和非易失数据存储器都可以只用 FALSH 结构或 EEPROM 结构,甚至可 以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”,但就算如此,概念 上二者依然不同,这是基本常识问题。 为真正的技术高手。 现在的单片机,RAM 主要是做运行时数据存储器,FLASH 主要是程序存储器,EEPROM 主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼 上说的很好 另外,一些变量,都是放到 RAM 里的,一些初始化数据比如液晶要显示的内容界 面,都是放到 FLASH 区里的(也就是以前说的 ROM 区),EEPROM 可用可不用, 主要是存一些运行中的数据,掉电后且不丢失 ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器,ROM 是 Read Only Memory 的缩写,RAM 是 Random Access Memory 的缩写。ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据, 而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的 RAM 就是计算机的内存。 RAROM 和 RAM 指的都是半导体存储器,ROM 是 Read Only Memory 的 缩写,RAM 是 Random Access Memory 的缩写。ROM 在系统停止供电的时候仍然可 以保持数据,而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的 RAM 就是计算机的 内存。 RAM 有两大类,一种称为静态 RAM(Static RAM/SRAM), 没有严谨的工作精神,根本无法成

SRAM 速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只 在要求很苛刻的地方使用,譬如 CPU 的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态 RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM 保留数据的时间很短,速度也比 SRAM 慢,不 过它还是比任何的 ROM 都要快,但从价格上来说 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多,计 算机内存就是 DRAM 的。 DRAM 分为很多种,常见的主要有 FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、 RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等,这里介绍其中的一种 DDR RAM。 DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作 DDR SDRAM,这种改进型的 RAM 和 SDRAM 是基 本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输 速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击 败了 Intel 的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备

了高速 DDR RAM 来提高带宽,这可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能力。 内 存工作原理: 内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们*常所提到的 计算机的内存指的是动态内存(即 DRAM),动态内存中所谓的 "动态",指的是 当我们将数据写入 DRAM 后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设 电路进行内存刷新操作。 具体的工作过程是这样的:一个 DRAM 的存储单元存储的是 0 还是 1 取决于电容 是否有电荷,有电荷代表 1,无电荷代表 0。但时间一长,代表 1 的电容会放电, 代表 0 的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检 查,若电量大于满电量的 1/2,则认为其代表 1,并把电容充满电;若电量小于 1/2,则认为其代表 0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。 ROM 也有很多种,PROM 是可编程的 ROM,PROM 和 EPROM(可擦除可编程 ROM)两 者区别是,PROM 是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期 的产品,现在已经不可能使用了,而 EPROM 是通过紫外光的照射擦出原先的程序, 是一种通用的存储器。另外一种 EEPROM 是通过电子擦出,价格很高,写入时间 很长,写入很慢。 举个例子,手机软件一般放在 EEPROM 中,我们打电话,有些最后拨打的号码, 暂时是存在 SRAM 中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在 EEPROM 中), 因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍 的。 FLASH 存储器又称闪存,它结合了 ROM 和 RAM 的长处,不仅具备电子可擦除可编 程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM 的优 势),U 盘和 MP3 里用的就是这种存储器。在过去的 20 年里,嵌入式系统一直 使用 ROM ( EPROM )作为它们的存储设备,然而*年来 Flash 全面代替了 ROM (EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储 Bootloader 以及操作系统或者程序 代码或者直接当硬盘使用(U 盘)。 目前 Flash 主要有两种 NOR Flash 和 NADN Flash NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样,用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码,这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。

NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式 来进行的,通常是一次读取 512 个字节,采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码,因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使 用 NAND Flah 以外,还作上了一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。 一般小容量的用 NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信 息,而大容量的用 NAND FLASH,最常见的 NAND FLASH 应用是嵌入式系统采用的 DOC ( Disk On Chip )和我们通常用的 " 闪盘 " ,可以在线擦除。目前市面上的 FLASH 主要来自 Intel,AMD,Fujitsu 和 Toshiba,而生产 NAND Flash 的主要 厂家有 Samsung 和 Toshiba。 NAND Flash 和 NOR Flash 的比较 NOR 和 NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于 1988 年首先开 发出 NOR flash 技术,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧 接着,1989 年,东芝公司发表了 NAND flash 结构,强调降低每比特的成本,更 高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍 然有相当多的硬件工程师分不清 NOR 和 NAND 闪存。 相"flash 存储器"经常可以与相"NOR 存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清 楚 NAND 闪存技术相对于 NOR 技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来 存储少量的代码,这时 NOR 闪存更适合一些。而 NAND 则是高数据存储密度的理 想解决方案。 NOR 是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR 一般只用来存储少量的代码;NOR 主要应用在代码存储介质中。NOR 的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传 输效率高,它是属于芯片内执行 (XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以 直接在(NOR 型)flash 闪存内运行,不必再把代码读到系统 RAM 中。在 1~4MB 的小容量时具有很高的成本效益,但是

很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash 带有 SRAM 接口,有足 够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash 占据 了容量为 1~16MB 闪存市场的大部分。 NAND 结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的 速度也很快。应用 NAND 的困难在于 flash 的管理和需要特殊的系统接口。 1、 性能比较: flash 闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。 任何 flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下, 在进行写入操作之前必须先执行擦除。 NAND 器件执行擦除操作是十分简单的, 而 NOR 则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为 1。 由于擦除 NOR 器件时是以 64~128KB 的块进行的,执行一个写入/擦除操作的 时间为 5s,与此相反,擦除 NAND 器件是以 8~32KB 的块进行的,执行相同的操 作最多只需要 4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间

的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多 的擦除操作必须在基于 NOR 的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计 师必须权衡以下的各项因素: NAND 的写入速度比 NOR 快很多。 ● NAND 的 4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快。 行擦除操作。 ● NAND 的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。 ● 大多数写入操作需要先进 ● NOR 的读速度比 NAND 稍快一些。 ●

(注:NOR FLASH SECTOR 擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH, 有的 SECTOR 擦除时间为 60ms,而有的需要最大 6s。) 2、接口差别: NOR flash 带有 SRAM 接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其 内部的每一个字节。 NAND 器件使用复杂的 I/O 口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能 各不相同。8 个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 NAND 读和写操作采用 512 字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自 然地,基于 NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 3、容量和成本: NAND flash 的单元尺寸几乎是 NOR 器件的一半,由于生产过程更为简单, NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 NOR flash 占据了容量为 1~16MB 闪存市场的大部分,而 NAND flash 只是用 在 8~128MB 的产品当中,这也说明 NOR 主要应用在代码存储介质中,NAND 适合 于数据存储,NAND 在 CompactFlash、 Secure Digital、PC Cards 和 MMC 存储 卡市场上所占份额最大。 4、可靠性和耐用性: 采用 flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展 MTBF 的 系统来说,Flash 是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块 处理三个方面来比较 NOR 和 NAND 的可靠性。 A) 寿命(耐用性)

在 NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而 NOR 的擦写次数是十万 次。NAND 存储器除了具有 10 比 1 的块擦除周期优势,典型的 NAND 块尺寸要比 NOR 器件小 8 倍,每个 NAND 存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。 B) 位交换

所有 flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND 发生的 次数要比 NOR 多),一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。 一位的变

化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系 统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。 当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。 位反转的问题更多见于 NAND 闪存,NAND 的供应商建议使用 NAND 闪存的时候, 同时使用 EDC/ECC 算法。 这个问题对于用 NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存 储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用 EDC/ECC 系统以 确保可靠性。 C) 坏块处理 NAND 器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成 功率太低,代价太高,根本不划算。 NAND 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。 在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。 5、易于使用: 可以非常直接地使用基于 NOR 的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在 上面直接运行代码。 由于需要 I/O 接口,NAND 要复杂得多。各种 NAND 器件的存取方法因厂家而异。 在使用 NAND 器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向 NAND 器 件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在 NAND 器件上自始至终都必须进行虚拟映射。 6、软件支持:

当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿 真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。 在 NOR 器件上运行代码不需要任何的软件支持,在 NAND 器件上进行同样操作 时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND 和 NOR 器件在进 行写入和擦除操作时都需要 MTD。 使用 NOR 器件时所需要的 MTD 要相对少一些,许多厂商都提供用于 NOR 器件的 更高级软件,这其中包括 M-System 的 TrueFFS 驱动,该驱动被 Wind River system、Microsoft、QNX Software system、Symbian 和 Intel 等厂商所采用。 驱动还用于对 DiskOnChip 产品进行仿真和 NAND 闪存的管理,包括纠错、坏块处 理和损耗*衡。 NOR FLASH 的主要供应商是 INTEL ,MICRO 等厂商,曾经是 FLASH 的主流产品, 但现在被 NAND FLASH 挤的比较难受。它的优点是可以直接从 FLASH 中运行程序, 但是工艺复杂,价格比较贵。 NAND FLASH 的主要供应商是 SAMSUNG 和东芝,在 U 盘、各种存储卡、MP3 播放器 里面的都是这种 FLASH,由于工艺上的不同,它比 NOR FLASH 拥有更大存储容量, 而且便宜。但也有缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外 NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。 在掌上电脑里要使用 NAND FLASH 存储数据和程序,但是必须有 NOR FLASH 来启 动。除了 SAMSUNG 处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由 NAND FLASH 启动程序。因此,必须先用一片小的 NOR FLASH 启动机器,在把 OS 等软件从 NAND FLASH 载入 SDRAM 中运行才行,挺麻烦的。

DRAM 利用 MOS 管的栅电容上的电荷来存储信息,一旦掉电信息会全部的丢失, 由于栅极会漏电,所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电 荷,并且每读出一次数据之后也需要补充电荷,这个就叫动态刷新,所以称其为 动态随机存储器。由于它只使用一个 MOS 管来存信息,所以集成度可以很高,容 量能够做的很大。SDRAM 比它多了一个与 CPU 时钟同步。 SRAM 利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电, 它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。 以上主要用于系统内存储器,容量大,不需要断电后仍保存数据的。 Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息,因为浮置栅不会漏电, 所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高,容 量可以很大。 Flash rom 写入前需要用电进行擦除,而且擦除不同与 EEPROM 可 以以 byte(字节)为单位进行,flash rom 只能以 sector(扇区)为单位进行。不 过其写入时可以 byte 为单位。flash rom 主要用于 bios,U 盘,Mp3 等需要大容 量且断电不丢数据的设备。 PSRAM,假静态随机存储器 背景: PSRAM 具有一个单晶体管的 DRAM 储存格,与传统具有六个晶体管的 SRAM 储存格 或是四个晶体管与 two-load resistor SRAM 储存格大不相同,但它具有类似 SRAM 的稳定接口,内部的 DRAM 架构给予 PSRAM 一些比 low-power 6T SRAM 优异 的长处,例如体积更为轻巧,售价更具竞争力。目前在整体 SRAM 市场中,有 90% 的制造商都在生产 PSRAM 组件。在过去两年,市场上重要的 SRAM/PSRAM 供货商 有 Samsung、Cypress、Renesas、Micron 与 Toshiba 等。 基本原理: PSRAM 就是伪 SRAM ,内部的内存颗粒跟 SDRAM 的颗粒相似,但外部的接口跟 SRAM 相似,不需要 SDRAM 那样复杂的控制器和刷新机制,PSRAM 的接口跟 SRAM 的接口是一样的。 PSRAM 容量有 8Mbit,16Mbit,32Mbit 等等,容量没有 SDRAM 那样密度高,但肯定 是比 SRAM 的容量要高很多的,速度支持突发模式,并不是很慢, Hynix ,

Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等 厂 家 都 有 供 应 , 价 格 只 比 相 同 容 量 的 SDRAM 稍贵一点点,比 SRAM 便宜很多。 PSRAM 主要应用于手机,电子词典,掌上电脑,PDA,PMP.MP3/4,GPS 接收器等消 费电子产品与 SRAM(采用 6T 的技术)相比,PSRAM 采用的是 1T+1C 的技术,所以在 体 积 上 更 小 , 同 时 ,PSRAM 的 I/O 接 口 与 SRAM 相 同 . 在 容 量 上 , 目 前 有 4MB,8MB,16MB,32MB,64MB 和 128MB。比较于 SDRAM,PSRAM 的功耗要低很多。所以 对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。 各种 Flash 卡: 数码闪存卡:主流数码存储介质 数码相机、MP3 播放器、掌上电脑、手机等数字设备是闪存最主要的市场。前面 提到,手机领域以 NOR 型闪存为主、闪存芯片被直接做在内部的电路板上,但数 码相机、MP3 播放器、掌上电脑等设备要求存储介质具备可更换性,这就必须制 定出接口标准来实现连接,闪存卡技术应运而生。闪存卡是以闪存作为核心存储 部件,此外它还具备接口控制电路和外在的封装,从逻辑层面来说可以和闪盘归 为一类,只是闪存卡具有更浓的专用化色彩、而闪盘则使用通行的 USB 接口。由 于历史原因,闪存卡技术未能形成业界统一的工业标准,许多厂商都开发出自己 的闪存卡方案。目前比较常见的有 CF 卡、SD 卡、SM 卡、MMC 卡和索

尼的 Memory Stick 记忆棒。 CF 卡(CompactFlash)

CF 卡是美国 SanDisk 公司于 1994 引入的闪存卡,可以说是最早的大容量便携式 存储设备。它的大小只有 43mm×36mm×3.3mm,相当于笔记本电脑的 PCMCIA 卡 体积的四分之一。CF 卡内部拥有独立的控制器芯片、具有完全的 PCMCIA-ATA 功 能,它与设备的连接方式同 PCMCIA 卡的连接方式类似,只是 CF 卡的针脚数多达 五十针。这种连接方式稳定而可靠,并不会因为频繁插拔而影响其稳定性。 CF 卡没有任何活动的部件,不存在物理坏道之类的问题,而且拥有优秀的抗震 性能, CF 卡比软盘、硬盘之类的设备要安全可靠。CF 卡的功耗很低,它可以自 适应 3.3 伏和 5 伏两种电压,耗电量大约相当于桌面硬盘的百分之五。这样的特 性是出类拔萃的,CF 卡出现之后便成为数码相机的首选存储设备。经过多年的 发展,CF 卡技术已经非常成熟,容量从最初的 4MB 飙升到如今的 3GB,价格也越 来越*实,受到各数码相机制造商的普遍喜爱, CF 卡目前在数码相机存储卡领 域的市场占有率排在第二位。 MMC 卡 (MultiMediaCard) MMC 卡是 SanDisk 公司和德国西门子公司于 1997 年合作推出的新型存储卡,它 的尺寸只有 32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚邮票差不多;其重量也多在 2 克以 下,并且具有耐冲击、可反复读写 30 万次以上等特点。从本质上看,MMC 与 CF 其实属于同一技术体系,两者结构都包括快闪存芯片和控制器芯片,功能也完全 一样,只是 MMC 卡的尺寸超小,而连接器也必须做在狭小的卡里面,导致生产难 度和制造成本都很高、价格较为昂贵。MMC 主要应用与移动电话和 MP3 播放器等 体积小的设备。

通俗篇
ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器,ROM 是 Read Only Memory 的缩写,RAM 是 Random Access Memory 的缩写。ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数 据,而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的 RAM 就是计算机的内存。

RAM 有两大类,一种称为静态 RAM(Static RAM/SRAM),SRAM 速度非常快,是 目前读写快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,

譬如 CPU 的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态 RAM(Dynamic RAM/DRAM), DRAM 保留数据的时间很短,速度也比 SRAM 慢,不过它还是比任何的 ROM 都要快, 但从价格上来说 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多,计算机内存就是 DRAM 的。

DRAM 分为很多种,常见的主要有 FPRAM/FastPage 、 EDORAM 、 SDRAM 、 DDR RAM 、 RDRAM 、 SGRAM 以及 WRAM 等,这里介绍其中的一种 DDR RAM 。 DDR RAM (Date-Rate RAM)也称作 DDR SDRAM,这种改进型的 RAM 和 SDRAM 是基本一样的,不同之处 在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是 目前电脑中用得多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了 Intel 的另外 一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速 DDR RAM 来 提高带宽,这可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能力。

ROM 也有很多种,PROM 是可编程的 ROM,PROM 和 EPROM(可擦除可编程 ROM)两 者区别是,PROM 是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期 的产品,现在已经不可能使用了,而 EPROM 是通过紫外光的照射擦出原先的程序, 是一种通用的存储器。另外一种 EEPROM 是通过电子擦出,价格很高,写入时间 很长,写入很慢。

举个例子,手机软件一般放在 EEPROM 中,我们打电话,有些后拨打的号 码,暂时是存在 SRAM 中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在 EEPROM 中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍 无可忍的。

FLASH 存储器又称闪存,它结合了 ROM 和 RAM 的长处,不仅具备电子可擦出 可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM 的优势),U 盘和 MP3 里用的就是这种存储器。在过去的 20 年里,嵌入式系统 一直使用 ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而*年来 Flash 全面代替了 ROM

(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储 Bootloader 以及操作系统或者程序 代码或者直接当硬盘使用(U 盘)。

目前 Flash 主要有两种 NOR Flash 和 NADN Flash。NOR Flash 的读取和我们常见 的 SDRAM 的读取是一样,用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码,这样 可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。NAND Flash 没有采取内存的随机读取技 术,它的读取是以一次读取一快的形式来进行的,通常是一次读取 512 个字节, 采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户不能直接运行 NAND Flash 上的代码,因 此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外,还作上了一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。

一般小容量的用 NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要 信息,而大容量的用 NAND FLASH,常见的 NAND FLASH 应用是嵌入式系统采用 的 DOC(Disk On Chip )和我们通常用的“闪盘”,可以在线擦除。目前市面 上的 FLASH 主要来自 Intel,AMD,Fujitsu 和 Toshiba,而生产 NAND Flash 的 主要厂家有 Samsung 和 Toshiba。




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